南科 海力士等晶片业者在美遭告侵权

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【大纪元9月1日报导】(中央社台北1日综合外电报导)美国电脑电源管理晶片制造商安森美半导体 (ON Semiconductor)对南韩海力士半导体 (Hynix Semiconductor)、台湾南亚科技(2408) 等同业提出侵权告诉。

安森美8月28日向美国德州泰楼 (Tyler)联邦法院提出控告,日本尔必达 (Elpida Memory)与美商Hittite Microwave (US-HITT)也在被告之列。安森美宣称这些业者侵犯该公司多达五项专利,寻求现金赔偿,并请求法院下令这些业者不得再使用其发明。

该诉讼案针对的产品包括海力士制造的快闪记忆体,Hittite制造的缓冲记忆体,以及海力士、尔必达和南亚科技制造的动态随机存取记忆体 (DRAM)。

安森美与南韩三星电子 (Samsung Electronics)甫于今年2月就长达三年的专利权官司达成和解。(译者:中央社安原良)

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