【大紀元2月28日電】國際商業机器公司（IBM）正式表態支持超紫外線（extreme ultraviolet，簡稱EUV）光蝕刻技術。獲得IBM加入支持行列后，超紫外線光蝕刻技術基本土已取得所有主要芯片制造商的支持，意味著此技術將會成為半導体業先進芯片制造程序的新標准。
采用超紫外線光蝕刻技術可制造体積更小，運行速度更快的電腦晶片。英特爾、AMD、Infineon、Sandia和Lawrence Livermore國家實驗室等都是EUV LLC的會員。IBM雖然支持EUV，但并沒有放棄繼續發展另一种蝕刻技術。
据CNET消息報導，与目前的蝕刻技術比較，EUV光蝕刻技術可讓計算机制造商在芯片上繪制更小的電路。EUV光線的波長較短，芯片制造商得以將极為繁复的電路圖投射到硅晶圓上。這种進步對于芯片業來說非常重要，否則，厂商數年后將陷入無法進一步濃縮芯片的瓶頸。
以EUV制程生產的芯片，可望于2005年問市，執行速度估計在10-GHz。Linley Group首席分析師Linley Gwennap說，IBM決定加入，是基于競爭力的考慮而采取的重要步驟。他說：“按EUV LLC的規定，成員公司可优先取得此技術。”他說，有鑒于EUV過去一、兩年來的進展，大家公認EUV為胜出的技術，IBM最后決定加入不令人意外。
美國《微處理器報道》總編輯Steve Leibson說：“据我猜測，IBM加入是為了回避風險。”
IBM預定數周內正式宣布支持EUV。屆時，芯片工業的前景將更為明确，芯片設備制造商也可松了口气，不用再擔心他們必須支持另一种与EUV競爭的技術標准。
然而，IBM支持EUV，卻未放棄自行嘗試新的制程技術，稱為Prevail。IBM仍會繼續支持与Nikon聯手發展的電子束蝕刻技術（electron beam lithography）。電子束蝕刻技術用電子束而非光束，在晶圓上投射芯片的電路圖。IBM与Nikon將在下周于加州圣塔克拉拉舉行的SPIE微蝕刻會議中，詳述利用電子束蝕刻技術工具獲致的技術突破。
電子束蝕刻技術能比EUV制造出更精細的分辨率，但涵蓋的范圍較EUV小，大量生產芯片的能力不及EUV。但IBM認為兩种技術可互補，以EUV繪制較粗略的電路，以電子束繪制更精細、更重要的部分。
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