【大紀元10月12日報導】(中央社記者張良知台北十二日電)台灣積體電路製造股份有限公司今天宣佈和美商飛思卡爾半導體公司(Freescale Semiconductor)簽訂合約，雙方將共同發展新一代的絕緣層上覆矽 (silicon-on-insulator,SOI)高效能晶片前段技術，並以開發65奈米的互補金氧半導體 (CMOS)製程技術為目標。
台積電研究與發展副總經理楊平表示，飛思卡爾公司在絕緣層上覆矽技術有寶貴的經驗和專業，而在專業積體電路製造服務領域，台積電在包括絕緣層上覆矽技術等先進製程發展上也佔有領導地位；結合雙方的長處，將使共同開發的絕緣層上覆矽技術更具競爭優勢。而在此項合約中，同時包含飛思卡爾公司將其90奈米絕緣層上覆矽技術，授權予台積電公司用於製造產品。
飛思卡爾公司技術長Dr. Claudine Simson表示，由於台積電長期以來一直是飛思卡爾公司在專業積體電路製造服務上的優良供應商，亦與飛思卡爾、飛利浦及意法半導體在法國Grenoble附近的Crolles結盟合作發展製程技術，因此，飛思卡爾公司與台積電長期以來維持十分良好的夥伴關係，並期待能與台積電共同開發65奈米絕緣層上覆矽高效能晶片技術。
台積電和飛思卡爾公司個別投入絕緣層上覆矽技術的發展，均已有數年的時間。飛思卡爾公司自1980 年代中期起迄今，已成功開發出三代的絕緣層上覆矽技術，並於2001年開始生產絕緣層上覆矽產品，相關產品出貨量已超過700萬顆，目前更在美國德州奧斯汀的DanNoble Center建立90奈米互補金氧半導體製程絕緣層上覆矽技術的平台，以生產新一代的高效能網路傳輸與運算產品。
台積電則自1990年代後期起，從0.13微米製程開始自行開發絕緣層上覆矽技術，並在絕緣層上覆矽元件及靜態隨機存取記憶體 (SRAM)電路元的開發上有卓越的成果。
透過此項合作計畫的推動，台積電和飛思卡爾公司雙方將共同開發65奈米絕緣層上覆矽製程的前段技術，將可加速相關產品的上市時程，並拓展此技術在不同市場的創新應用。同時，雙方將各自針對其客戶不同的應用，發展相關後段金屬化的製造技術。其中，台積電將以設於台灣的十二吋晶圓廠為其客戶提供製造服務，用以生產強調快速及高效能的網路傳輸與運算等相關產品。此外，台積電也將開發低耗電的製程，以提供行動式應用產品更多的選擇。飛思卡爾公司則計劃將此項技術移轉到與飛利浦及意法半導體所合作的法國Crolles2研發及試產基地。
