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【大纪元6月25日讯】美国电脑业巨人IBM发表现今世界最快速的硅制电晶体，IBM可望在2年内制造比现在速度快上5倍的微晶片。
IBM预计，新推出的电晶体将在2年内促使通讯晶片速度攀升至100 GHz，为现在速度的5倍，也比竞争对手最近宣布计划推出的时间早了4年。
电晶体采用改良的设计和IBM的硅锗合成(SiGe)技术，达到210GigaHertz的速度，同时，只会耗用少量的毫安(培)电流，和现在的设计相较之下，IBM的技术改善80%的效能以及减少50%的耗电量。
IBM通讯研发中心副总裁Bernard Meyerson指出，有如当初大家以为客机无法突破因素一般，原先专家认为硅晶体无法突破200GHz的速度极限。
他说，跟通讯网路设备一样，高效能电子零件制造商不需被迫采用新奇与昂贵的材料，才能超越速度的极限，硅元素未来仍将是晶片制造的优先媒介。
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