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【大纪元3月14日讯】英特尔（Intel）今天宣布开发出全球首颗面积仅一平方微米、采用90纳米（0.09微米）工艺技术的SRAM（静态随机存取记忆体）芯片，内含3亿3000万组晶体管，符合摩尔定律每18至24个月晶体管数目便增加一倍。而英特尔90纳米的工艺也将使用下在一版本的Pentium 4微处理器。
中央社报道﹐英特尔这项还属实验性质的SRAM电路元新芯片技术，也在最近开幕的德国汉诺瓦 CeBIT电子展中展出。这款英特尔研发人员制造出的52 MB芯片，能储存5200万比特的资料，且能在小于一角美元的硬币的109平方微米空间中，容纳3亿3000万组晶体管，这也是有史以来容量最大的SRAM芯片。
英特尔资深副总裁暨技术与制造事业群总经理周尚林表示，英特尔的1平方微米SRAM电路元为芯片技术创下新的密度指标，这项技术让英特尔能领先90纳米工艺技术，应用在微处理器与其它产品上。
周尚林强调，透过新推出的90纳米工艺技术，英特尔可继续保持每隔二年推出新世代工艺的纪录。
英特尔透露，90纳米工艺将是迈向2003年建置投产新工艺的里程碑，会用在下一版代号为“Prescott”的Pentium 4处理器，以及芯片组、通讯等产品，并计划在12吋晶圆采用90纳米技术。
之前，英特尔最先进的工艺是130纳米（0.13微米），未来采用90纳米工艺，英特尔将可把处理器的体积减半，或者在芯片上加入更多功能，因为同一体积内可增加近一倍的晶体管。(http://www.dajiyuan.com)
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