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台工研院携手英商 抢攻全球化合物半导体市场

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【大纪元2021年09月27日讯】(大纪元记者林倩玉台湾新竹报导)化合物半导体“黑科技”氮化镓(GaN),因其拥有高功率、高密度,可大幅缩小产品体积,于高频、高温与高电压的环境下仍有极佳效能,在5G/6G、绿能与电动车市场驱动下,将大幅推升化合物半导体在消费性电子产品与相关产业链产值,成为下世代半导体产业新星。工研院27日宣布与英商牛津仪器签署研究计划共同合作,希望链接双方研发能量,成功建构台湾化合物半导体产业链发展,抢攻全球市场。

根据市调机构IDC指出,2021年全球半导体市场产值达4,760亿美元,预估未来5年产值将年增8成;美、日、欧等国已将化合物半导体列为军事防卫及太空发展的重要材料,并广泛应用到高阶通讯、功率元件、光电应用等。

工研院副院长张培仁指出,英商牛津仪器是领先全球的先端仪器跨国集团公司,在15年前就已跟工研院在精密检测分析部分进行合作,工研院不但是牛津仪器在亚太区重要的据点,双方也培养深厚的默契与基础,并在HBLED、MEMS、Micro-LED、硅光子学、奈米分析等领域获得成果。此次签署将有助于建构更完整的下世代半导体供应链,并将研发落实于系统整合及跨领域创新,进一步协助产业转型升级,带动台湾经济与产业成长。

工研院电子与光电系统研究所所长吴志毅表示,工研院已开发应用于高频通讯之氮化镓半导体技术,并与相关学术机构进行磊晶技术研究、开发操作频率达320 GHz之高频元件与100 GHz之功率放大器模组等前瞻技术,希望加速国内下世代超高频通讯关键技术自主化。

吴志毅说,看准台湾在世界半导体产业中的关键性领先技术、完整产业链与工研院的前瞻创新研发技术,希望携手牛津仪器合作开发化合物半导体的元件技术,有效提升氮化镓的高电子迁移率电晶体(HEMT)元件制程良率,增加电源充电功率与电晶体性能,建构台湾下世代化合物半导体产业布局,带动台湾产业在供应链占有一席之地。

英商牛津仪器首席执行长伊恩˙巴克希尔说明,英国牛津仪器已进驻工研院成立研发中心并联合举办相关训练课程,作为牛津仪器在亚太地区培训工程研发人员的重要基地。今年双方再次携手,牛津仪器将提供先进的原子级沉积与蚀刻技术设备,搭配工研院在超高频半导体关键零组件技术解决方案及制程开发平台的领先能量,期待双方在强化前瞻技术研发能量下,进一步打入国际市场供应链。◇

责任编辑:昌英

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