【大纪元11月2日讯】〔自由时报记者梁世煌╱台北报导〕三星256M bDRAM模组11月上旬合约价昨天传出重挫4.92%的消息，包括南科（2408 )、力晶（5346 )、茂德（5387 )全数在盘中震荡急杀爆量跌停。尽管包括集邦科技在内的DRAM通路商大多认为上述消息应为代理商测试市场的风向球，但法人则认为，以力晶、南亚科融资水位居高不下的情况来看，若是此一利空效应扩大，未来融资买盘恐怕将因此出现松动，是否冲击DRAM股表现值得观察。
根据集邦科技10月下旬所公布的256M bDRAM模组合约价最高为40.5美元、最低为38美元，前者还较10月上旬上涨1.25%，不过，另一家IC报价网站“亚洲IC交易网”昨天却传出三星报出的同一规格11月上旬合约价，却是较该网站10月下旬公布的价格重挫4.92%，目前其合约价最高为41.89美元，最低为39美元，合约均价则为40.44美元。
此一消息传出后，由于市场担心DRAM现货及合约报价恐怕就此崩盘，加上高盛证券将力晶的投资评等由“超越市场表现”降低为“符合市场表现”，包括南科、力晶、茂德3档DRAM指标股全数爆量重挫跌停，力晶、茂德的季线关卡更因此宣告失守，成为昨天电子股表现最为弱势的族群。
不过，对于三星合约价重挫，集邦科技总经理聂圣陶在向韩国三星求证后表示，由于三星担心美元近期可能回贬，为了规避汇兑损失，三星日前特别对代理商以较低价格扩大出货，因此才会传出三星DRAM合约价出理重挫的传闻。
聂圣陶表示，根据三星的说法，上述三星的256MbDRAM模组40.44美元的合约均价，是三星出给代理商的报价，并非是市场上厂对厂的合约价，因此所谓三星DRAM模组合约价下跌的说法可能还有待商榷。
不过，尽管可能只是误会一场，但是分析师认为，目前力晶、南科的融资张数余额还高达数十万张，筹码面相当凌乱，若是上述利空消息效应持续扩大，可能会促使这些融资买盘松动，虽然有助于个股减少浮额流窜，但短线仍会对股价再度破底的DRAM股形成向下修正的压力。
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