【大紀元2月21日報導】（中央社記者陳永昌台北二十一日電）聯華電子今天宣佈採用其0.13微米RFCMOS製程技術，已製造出振盪頻率為192-GHz的雙推式電壓控制振盪器，192-GHz 也創下目前矽晶片全球最高振盪頻率的紀錄。
聯電指出，這個晶片是由佛羅里達大學甘斯威爾分校電機電腦工程系所的矽微波積體電路與系統研究組所設計，這個團隊也曾在去年六月設計，並由聯電製造出創下當時紀錄的105-GHz電壓控制振盪器。
聯電指出，電壓控制振盪器被廣泛運用於幾乎所有的射頻與無線系統中，具有高頻率的振盪器例如192-GHz電壓控制振盪器，可使用於先進的遠端遙測與尖端影像應用，以實現偵測化學物質、穿透布料偵測、穿透霧氣與雲層顯像、以及偵測皮膚癌等應用。
聯電系統架構支援部總工程師林子聲表示，聯電經過驗證的RFCMOS技術，現已用於驅動廣泛的先進無線應用產品，佛羅里達大學這項最新的成果，展現了聯電RFCMOS製程技術，對於效能要求極高的設計產品是十分適合的。聯電十分高興與佛大共同實現了這項技術上的突破，並且期待將這些研究成果提供給主流射頻設計公司。
