【大紀元7月24日訊】〔自由時報記者洪友芳／新竹報導〕力晶〔5346〕董事長黃崇仁昨指出，該公司第四季將採70奈米量產8G容量的NAND Flash（快閃記憶體 )，繼韓國三星、海力士之後，為全球第三家有能力同時量產DRAM與Flash雙記憶體產品線的公司。
黃崇仁並看好下半年的DRAM走勢，認為第三季因供給增加有限，市場需求卻強勁，預估512Mb DRAM價格約可回升到2.5美元，第四季將漲到三美元。
力晶昨舉行法說會並公佈第二季財報，第二季毛利率為-16.49%，稅後虧損38.44億元，居DRAM同業之冠，每股虧損0.56元；上半年稅後盈餘36.88億元，每股盈餘0.54元，次於華亞科（3474 )1.33元。
力晶副總經理譚仲民指出，該公司目前70奈米製程良率已達80%，每片晶圓產出約達1,400多顆512Mb、700多顆1Gb晶粒數，成本為同業最低。力晶預計第三季正式量產70奈米製程的1Gb產品。力晶與爾必達合資成立的瑞晶將是產能主力，7月以70奈米製程正式量產。
譚仲民轉述，力晶與日商瑞薩策略聯盟，已投入研發NAND Flash三年，培育約400位工程師，第四季將在12A、B廠以70奈米量產8G容量產品，下半年將動土興建12C、D廠，專門生產NAND Flash，初步規劃兩座廠月產能達12萬片。
法人估計NAND Flash明年下半年挹注力晶營運才會較明顯。
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