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制程效益 台DRAM上肥下瘦

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【大纪元8月15日报导】(中央社记者张建中新竹15日电)受DRAM价格急遽滑落、庞大库存跌价损失冲击,国内记忆体模组厂第2季获利持续萎缩;反观DRAM制造厂获利则普遍较第1季好转,逐步转变成上肥下瘦局面。

动态随机存取记忆体 (DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)产品价格去年同步弹升,记忆体模组厂营运因而同步缴出亮丽成绩单,包括创见、威刚及商丞等皆赚进1个以上股本。

DRAM制造厂则持续难逃亏损窘境;其中,力晶、南科及茂德等亏损逾新台币200亿元,华亚科也亏损100多亿元,俨然成为上瘦下肥局面。

今年来DRAM与NAND Flash产品价格不再一路走扬,其中,第2季因欧洲市场需求疲弱,及淡季效应影响,DRAM及NAND Flash价格还同步走跌,致记忆体模组厂面临沉重库存跌价压力。

创见第2季税后净利3.99亿元,即较第1季减少21.9%,并创下近8季来单季获利新低纪录,每股纯益仅0.94元;威刚第2季甚至由盈转亏,税后净损4.19 亿元,每股亏损1.87元。

反观力晶与尔必达合资成立的DRAM制造厂瑞晶电子第2季获利持续攀高,税后净利达50.11亿元,每股纯益达1.7元。

力晶在恢复与瑞晶产销机制,DRAM出货持续增加,加上晶圆代工出货及价格同步走扬,第2季税后净利更窜升至67.7亿元,季增93.29%,每股纯益达1.23 元,较创见的0.94元高。

即便台塑集团旗下南科及华亚科因制程技术转换影响,第2季持续亏损,南科第2季亏损金额缩减至10.24亿元,每股亏损0.3元;华亚科第2季税后净损18.1亿元,每股亏损0.39元,亏损情况也较威刚每股亏损1.87元小。

观察DRAM制造厂及模组厂第2季营运表现状况,足见DRAM产业已逐步转变成上肥下瘦局面。

尽管创见董事长束崇万预期,目前DRAM与NANDFlash产品价格都已滑落至合理水位,下跌空间应有限;下半年营收及毛利率应可较上半年显着成长,将缴出令人惊艳的成绩单。

只是根据集邦科技调查,8月上旬DRAM与NANDFlash合约价持续同步走跌;其中,DDR3 1Gb合约均价滑落至2.47美元,下跌3.52%,32Gb MLC合约均价也下滑至6.44美元,下跌2.13%。

随着记忆体产品价格持续缓跌,模组厂仍将难逃库存跌价损失影响,获利遭到压缩;反观DRAM制造厂因制程技术不断推进,有助成本下降,应可抵消产品跌价冲击,维持获利水准,预期下半年DRAM业上肥下瘦局面应不易改变。

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