【大纪元10月12日报导】(中央社记者张良知台北十二日电)台湾积体电路制造股份有限公司今天宣布和美商飞思卡尔半导体公司(Freescale Semiconductor)签订合约，双方将共同发展新一代的绝缘层上覆硅 (silicon-on-insulator,SOI)高效能晶片前段技术，并以开发65奈米的互补金氧半导体 (CMOS)制程技术为目标。
台积电研究与发展副总经理杨平表示，飞思卡尔公司在绝缘层上覆硅技术有宝贵的经验和专业，而在专业积体电路制造服务领域，台积电在包括绝缘层上覆硅技术等先进制程发展上也占有领导地位；结合双方的长处，将使共同开发的绝缘层上覆硅技术更具竞争优势。而在此项合约中，同时包含飞思卡尔公司将其90奈米绝缘层上覆硅技术，授权予台积电公司用于制造产品。
飞思卡尔公司技术长Dr. Claudine Simson表示，由于台积电长期以来一直是飞思卡尔公司在专业积体电路制造服务上的优良供应商，亦与飞思卡尔、飞利浦及意法半导体在法国Grenoble附近的Crolles结盟合作发展制程技术，因此，飞思卡尔公司与台积电长期以来维持十分良好的伙伴关系，并期待能与台积电共同开发65奈米绝缘层上覆硅高效能晶片技术。
台积电和飞思卡尔公司个别投入绝缘层上覆硅技术的发展，均已有数年的时间。飞思卡尔公司自1980 年代中期起迄今，已成功开发出三代的绝缘层上覆硅技术，并于2001年开始生产绝缘层上覆硅产品，相关产品出货量已超过700万颗，目前更在美国德州奥斯汀的DanNoble Center建立90奈米互补金氧半导体制程绝缘层上覆硅技术的平台，以生产新一代的高效能网路传输与运算产品。
台积电则自1990年代后期起，从0.13微米制程开始自行开发绝缘层上覆硅技术，并在绝缘层上覆硅元件及静态随机存取记忆体 (SRAM)电路元的开发上有卓越的成果。
透过此项合作计划的推动，台积电和飞思卡尔公司双方将共同开发65奈米绝缘层上覆硅制程的前段技术，将可加速相关产品的上市时程，并拓展此技术在不同市场的创新应用。同时，双方将各自针对其客户不同的应用，发展相关后段金属化的制造技术。其中，台积电将以设于台湾的十二吋晶圆厂为其客户提供制造服务，用以生产强调快速及高效能的网路传输与运算等相关产品。此外，台积电也将开发低耗电的制程，以提供行动式应用产品更多的选择。飞思卡尔公司则计划将此项技术移转到与飞利浦及意法半导体所合作的法国Crolles2研发及试产基地。
