【大紀元6月21日訊】(大紀元記者方洪編譯報道)美國技術人員最近研製了一種新型硅質微處理器﹐運行速度達到每秒5000億次(500GHz)﹐比目前商家投放到市場的微處理快了數百倍。
據新科學家雜誌6月20日消息﹐佐治亞理工學院和IBM的微電子工程師們相信﹐他們在實驗中對新芯片的測試結果將為生產高速低耗費的電子裝置帶來希望。
傳統的芯片是硅質的﹐而這種新型的芯片是以硅和鍺兩種元素構成的。電子在這種合成物中的傳導速度遠高于在單一硅中的速度。
實驗中研究人員將硅鍺混合芯片降溫到零下攝氏268.65度﹐也就是僅僅比絕對零度高那麼一點點的溫度條件下﹐實現了運行速度500GHz的記錄﹔事實上﹐即使在室溫條件下﹐混合芯片的運行速度也達到每秒300GHz。運行速度是以晶體管轉換電流的速度來定義的。目前仍在實驗中的新芯片的晶體管的端聯是由一層硅和一層鍺組成的。
新芯片在實驗條件下達到500GHz的運行速度﹐是普通芯片的幾百倍。而事實上僅僅將電腦中的傳統硅質芯片換成混合芯片並不能提供那麼大的運行速度。因為實際運用中的商業芯片是很複雜的。不過﹐佐治亞的研究小組負責人克萊斯勒(John Cressler)表示新的硅鍺混合芯片或許也能夠用于通訊芯片。
目前﹐長商通常通過縮小芯片的體積來提高芯片運行速度﹐但是這種做法是有極限的。新型混合芯片顯然將芯片的潛力提高到了一個新的高度。
獲得高的運行速度當然也有其他的選擇﹐如銦磷(indium-phosphide)或銦鎵砷等混合物﹐但是其製造技術投資過大。硅鍺混合芯片完全可以在現有的單一硅質芯片製造技術的基礎上進行發展。
提高芯片運行速度還有一個障礙﹐就是會產生大量的熱。因此如何冷卻芯片就是個關鍵問題。新的混合芯片是在超低溫條件下獲得500GHz運行速度的﹐這對于商業應用顯然不切實際。但是混合芯片的研製畢竟為芯片業帶來了一個不小的突破。(http://www.dajiyuan.com)
