【大纪元6月21日讯】(大纪元记者方洪编译报道)美国技术人员最近研制了一种新型硅质微处理器﹐运行速度达到每秒5000亿次(500GHz)﹐比目前商家投放到市场的微处理快了数百倍。
据新科学家杂志6月20日消息﹐佐治亚理工学院和IBM的微电子工程师们相信﹐他们在实验中对新芯片的测试结果将为生产高速低耗费的电子装置带来希望。
传统的芯片是硅质的﹐而这种新型的芯片是以硅和锗两种元素构成的。电子在这种合成物中的传导速度远高于在单一硅中的速度。
实验中研究人员将硅锗混合芯片降温到零下摄氏268.65度﹐也就是仅仅比绝对零度高那么一点点的温度条件下﹐实现了运行速度500GHz的记录﹔事实上﹐即使在室温条件下﹐混合芯片的运行速度也达到每秒300GHz。运行速度是以晶体管转换电流的速度来定义的。目前仍在实验中的新芯片的晶体管的端联是由一层硅和一层锗组成的。
新芯片在实验条件下达到500GHz的运行速度﹐是普通芯片的几百倍。而事实上仅仅将电脑中的传统硅质芯片换成混合芯片并不能提供那么大的运行速度。因为实际运用中的商业芯片是很复杂的。不过﹐佐治亚的研究小组负责人克莱斯勒(John Cressler)表示新的硅锗混合芯片或许也能够用于通讯芯片。
目前﹐长商通常通过缩小芯片的体积来提高芯片运行速度﹐但是这种做法是有极限的。新型混合芯片显然将芯片的潜力提高到了一个新的高度。
获得高的运行速度当然也有其他的选择﹐如铟磷(indium-phosphide)或铟镓砷等混合物﹐但是其制造技术投资过大。硅锗混合芯片完全可以在现有的单一硅质芯片制造技术的基础上进行发展。
提高芯片运行速度还有一个障碍﹐就是会产生大量的热。因此如何冷却芯片就是个关键问题。新的混合芯片是在超低温条件下获得500GHz运行速度的﹐这对于商业应用显然不切实际。但是混合芯片的研制毕竟为芯片业带来了一个不小的突破。(http://www.dajiyuan.com)
