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尔必达
【大纪元1月5日报导】（中央社记者张建中台北5日电）尔必达与旗下瑞晶电子今天共同宣布，尔必达今年第1季在瑞晶设立技术研发中心，共同投入下世代40奈米4F平方制程技术开发，初步规划将投入5000万至8000万美元。
DRAM大厂尔必达与瑞晶电子下午的联合记者会，由瑞晶总经理陈正坤及尔必达技术长五味秀树共同主持，力晶董事长黄崇仁并未出席，由副总经理谭仲民参加。陈正坤也证实，瑞晶已开始规划上市（柜）。
陈正坤表示，由于看好今年动态随机存取记忆体(DRAM)市况，瑞晶与2家母公司尔必达及力晶决定加码技术投资。
他说，瑞晶技术研发重点是利用现有设备，减少资本投资，以达到制程技术推进，降低成本；瑞晶决定跳过50奈米，直接切入40奈米世代制程技术。
陈正坤表示，尔必达将在瑞晶设立技术研发中心，预计投入5000万至8000万美元开发40奈米4F平方制程技术，初步规划由尔必达、瑞晶及力晶共组80人左右的研发团队。
瑞晶计划今年底前月产8万片12吋晶圆产能将全面转进40奈米6F平方制程技术，生产2Gb DDR3产品；陈正坤说，制程转换资本支出将仅需转换50奈米的3分之1，约新台币120亿元，至少一半资金可自筹。
陈正坤指出，瑞晶去年总营收295亿元，虽然全年仍亏损，不过，去年第4季已单季转亏为盈。他同时证实，目前瑞晶已开始规划上市 (柜)。
“40奈米4F平方制程技术”是“40奈米6F平方制程技术”之后下一世代DRAM制程技术，均可较50奈米制程，大幅减少资本支出。
