【大纪元5月28日报导】（中央社记者许湘欣台北28日电）晶圆代工厂联电与半导体逻辑非挥发性记忆体（NVM）硅智财领导厂商Kilopass今天共同宣布，携手合作先进制程28奈米硅智财。
双方已签署技术开发协议，Kilopass非挥发性记忆体硅智财，将于联华电子两个28奈米先进制程平台上提供，包括适用于生产可携式装置产品系统单晶片的高介电质金属闸（High-k/Metal Gate）28HPM；受消费性电子产品系统单晶片设计公司青睐的多晶硅（Poly /SiON）28HLP制程。
联电28奈米制程的晶片闸极密度，为40奈米制程两倍。具成本效益的28HLP多晶硅（Poly/ SiON）制程，与业界其他28奈米多晶硅制程相比，具备更优异效能及功耗提升。
为配合系统单晶片设计公司不同电源需求，这个制程提供多个电压选项：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。28HPM高介电质金属闸（High-k/Metal Gate）制程，则提供临界电压选项、记忆体储存单元和降频/超频功能，有助于系统单晶片设计公司，大幅提高产品整体效能和电池续航力。
联电客户工程暨硅智财研发设计支援副总简山杰表示，联电不断致力于先进技术开发和及时产能导入，以充分满足客户需求。
为确保联电客户在28奈米制程上，不仅可采用联电eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的硅智财，也能获取最佳第3方厂商非挥发性记忆体硅智财，联电十分乐意与Kilopass公司持续合作，确保多元化反熔丝非挥发性记忆体（anti-fuse NVM）硅智财产品，能在28奈米制程平台上提供给客户采用。
Kilopass公司董事长暨执行长成查理（Charlie Cheng）表示，对于Kilopass与联电进行中的策略合作感到非常高兴。在联电28奈米先进制程平台上，提供Kilopass非挥发性记忆体（NVM）硅智财产品，这样的合作为两家公司创造双赢。
对于联电来说，将可在联电先进制程平台上，为客户提供更广泛的硅智财产品组合，对于Kilopass而言，可将业务范围拓展到联华电子28奈米制程市占率提升的行动设备，与消费性电子系统单晶片产品市场。
