【大纪元2018年11月02日讯】（大纪元记者林燕编译报导）美国司法部周四（11月1日）正式起诉中国福建晋华集成电路（简称福建晋华）公司以及台湾的联华电子公司（简称联电），指控他们共谋从美国半导体巨头美光科技公司（Micron）窃取商业机密。
根据加州圣荷西市（San Jose）联邦法院公布的起诉书，美国政府对晋华和联电同时提出刑事和民事控诉，并寻求阻止这两家公司将使用有争议的商业机密制造的产品输往美国。刑事起诉书在2018年9月27日提交，11月1日公布；民事诉讼于11月1日提交。
晋华和联电均被控三项罪名，分别是共谋经济间谍罪、接收被盗商业机密罪（属于经济间谍罪名的一种）以及共谋窃取商业机密罪。
依照美国法律，被起诉并不等于有罪。如果共谋经济间谍罪以及接收被盗商业机密罪成立，可能面临最高1千万美元的罚款或三倍于被盗商业机密价值的罚款；如果共谋窃取商业机密罪成立，可能面临最高500万美元的罚款或三倍于被盗商业机密价值的罚款。同时，两家企业还面临被没收资产的惩罚。
除了这两家公司，还有三名台湾个人也一并遭受指控。起诉书说，涉案三名台湾男子是陈正坤、何建庭和王永铭，他们曾是美光在台湾子公司的高管，但在加入联电前后窃走美光的技术，目的是要转移给仅成立两年的福建晋华公司。
美国司法部长塞申斯（Jeff Sessions）表示，受害企业美光的市值1,000亿美元，拥有全球市场动态随机存取存储器（DRAM）20%-25%的份额，这项技术是中国直到最近才拥有的。
他说，中共国家支持的计划不断窃取美国的工商业机密，这只是最新一宗案件；和近期其它案件一样，它们显示，中国（中共）决心一路偷窃机密、促进经济发展，而美国则成为苦主。
“这种行径不合法，是错的，而且对我们的国家安全构成威胁，必须要停止，”塞申斯说。“这已经够多了，司法部将对这类违法行为提起诉讼。”
起诉书指，在中国并未拥有DRAM技术的情况下，中共政府和国务院已公开将DRAM和其它微电子技术发展确定为国家经济优先事项。在这种激励下，中国看准台湾为美国科技公司代工，便转向台湾联电获取DRAM技术。
根据起诉书，福建晋华与台湾联电共同窃取美光的商业秘密，包括动态随机存取存储器（DRAM）。美光是唯一一家生产DRAM的美国公司，并在这一领域保持着显着竞争优势，这在很大程度上归功于其专有知识产权，包括其顶尖DRAM产品的设计、开发和制造的详细机密信息。
路透社报导，美国正扩大反制中国对美国企业的间谍活动，这是司法部9月以来提出的第4个案件。塞申斯强调，中国的间谍活动快速增长，美国政府将采取新的主动行动反制。
美国联邦调查局（FBI）局长雷（Christopher Wray）也发布声明说：“中国（中共）对我们的创意、创新和经济安全构成广泛而严重的威胁，没有其它国家比得上。”
对台湾三名被告的起诉
被告人之一陈正坤原是台湾美光记忆体（Micron Memory Taiwan，MMT）的高级主管，负责制造至少一种美光的DRAM芯片，而MMT是美光2013年在台收购的一家子公司。陈于2015年7月从MMT跳槽到联电，而当时联电并无DRAM技术，但陈一直有意到中国大陆发展，于是与对方一一拍即合。
在联华电子工作期间，陈正坤安排联电和福建晋华达成合作协议，福建晋华提供资金资助，联电负责把DRAM技术转让给福建晋华、并进行批量生产。这项技术将由联电和福建晋华共享，陈于2017年2月兼任福建晋华的总经理，负责DRAM生产设施。
在这段时间中，陈正坤从美光的台湾子公司挖走数名员工，其中包括两名高管何建庭和王永铭，并随后在短时间内攻克DRAM相关技术。
被告人之一何建庭曾是美光在台子公司的整合部课长，2015年底跳槽联电，在离任前偷窃美光机密文件和档案，并转交给联电。另一位被告人王永铭则是美光在台子公司的品质工程部副经理，在2016年4月离职去了联电。
何、王两人一直保持着密切的私人联系，在王离职前，他滥用职权、读取美光属于机密的DRAM制造方法和技术，档案多达900个，有些文件就存放在Google文档中，即便在跳槽到联电工作后他们仍上去查阅。但王对美光在台子公司申请的离职理由却是要打理家庭生意。
有了这两人的加盟后，联电与福建晋华于2016年9月-2017年3月期间提交了5项专利，以及1项与DRAM相关的专利申请，后者含有的信息与美光商业机密相同或极度近似。而何是这5项专利以及1项专利申请的发明人。
值得一提的是，根据起诉书，台湾执法部门2017年2月，在持有搜查令的情况下，进入何建庭以及王永铭在联电的办公室以及住处，发现含有美光商业机密的电子以及文本文档。
但戏剧性的是2018年1月，福建晋华和联电在中共福建法院控告美光旗下的美光半导体销售（上海）与美光半导体（西安）侵权；7月，福州市中级法院不顾台湾、美国诉讼正在进行，便做出美光子公司侵犯联电专利权的初裁，要求美光立即停止在华销售多项动态随机存取记忆体（DRAM）与储存型快闪记忆体（NAND Flash）产品。
为保护美光以及惩罚这两家企业窃取美知识产权，美国商务部10月29日将福建晋华列入出口管制“实体清单”，禁止其购买美国的机器和材料以增加工厂生产DRAM的能力。这意味美国业者必须取得特别许可，才能出口供福建晋华使用的产品。
上述三名被告均被控三项罪名，分别是共谋经济间谍罪、接收被盗商业机密罪以及共谋窃取商业机密罪。
依照美国法律，被起诉并不等于有罪。若共谋经济间谍罪和共谋窃取商业机密罪成立，个人最高可判处15年监禁和500万美元或两倍于被盗商业机密价值的罚款；若窃取商业机密罪成立，最高可被判处10年监禁以及25万美元或两倍于被盗商业机密价值的罚款。＃
责任编辑：叶紫微
