台积电突破制程瓶颈可使超级电脑体积缩小

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(http://www.epochtimes.com)
【大纪元6月12日讯】 台湾积体电路公司今天宣布,成功使用现有生产线设备开发出经过功能验证的鳍式场效电晶体元件雏型,闸长可较目前电晶体的闸长小10倍,并提供更高电流及更低的漏电流,这项突破可使超级电脑变成指甲般大小。

据中央社6月12日报导,鳍式场效电晶体 (FinField-effecttransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体 (CMOS)电晶体,闸长已可小于25奈米,未来预期可以进一步缩小至9奈米,大约是人类头发宽度的一万分之一。由于此一半导体技术上的突破,未来晶片设计人员可望能够将超级电脑设计成只有指甲般大小。

FinFET系源自于目前传统标准的电晶体–场效电晶体 (Field-effecttransistor; FET)的一项创新设计。在传统电晶体结构中,控制电流通过的闸门,只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开。在FinFET的架构中,闸门成类似鱼鳍的叉状,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计大大改善了电路的可控性并且减少漏电流 (leakage),也可以大幅缩短电晶体的闸长。

台积公司技术长胡正明表示,台积公司在一段时间之前即已验证闸长35奈米FinFET的可行性,最近更进一步成功发展出效能更好、闸长小于25奈米的FinFET。此外,根据台积公司的研发模拟数据显示,相同结构的FinFET未来其闸长可望进一步再缩小到 9奈米而且在一般电性参数下运作。

台积公司在 6月11日起于夏威夷所举行的“超大型积体电路技术研讨会” (VLSI Technology Symposium)中,发表FinFET的相关论文,该论文将报告台积公司经过功能验证,闸长仅有35奈米的FinFET,其P型及N型电晶体分别通过功能测试,电流强度及漏电流方面符合半导体产业技术蓝图所设立的标准,并在效能方面创下新的纪录。
(http://www.dajiyuan.com)

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