【大纪元7月12日报导】(中央社记者何易霖新竹十二日电)工业技术研究院电子所今天与力晶半导体、南亚科技、茂德科技、华邦电子4家台湾DRAM厂商签署新世代相变化记忆体技术与产品合作协定，预计以3年的时间，投入新台币1.2亿元，发展这项极具潜力的记忆体新技术，抢进2008年超过新台币百亿元规模的相变化记忆体产品市场。
签约仪式由经济部长何美玥与工研院长李钟熙见证，电子所所长陈良基与力晶总经理谢再居、南亚科总经理连日昌、茂德副总经理唐亦仙、华邦副总经理林晨曦共同签订。
何美玥致词时表示，台湾记忆体产值2004年达新台币2300亿元，全球市占率逾 20%，仅次于南韩，是台湾相当重要的电子产业之一，此次 4家台湾主要DRAM厂与工研院签订新世代相变化记忆体技术与产品合作协定，开启台湾记忆体厂商首度合作开发前瞻技术的先例。
何美玥指出，政府一向支持指标性产业，鼓励业界和学研机构组成研发联盟，建立下世代前瞻创新产业技术，同时政府也非常乐意提供政策、环境，甚至经费上的协助，期许 4家DRAM厂能藉由这次合作，齐心协力与南韩三星电子抗衡，缔造世界第一的佳绩。
电子所所长陈良基表示，相变化记忆体 (PhaseChange Memory, PCM,或称Ovonic UniversalMemory,OUM) 是利用特殊“相变化材料”的一种新兴记忆体技术，具有高速度、低耗电、功能强等特性，是最被看好取代当前的DRAM与 FLASH，具有“终极记忆体”架势的技术与产品。
陈良基指出，目前全球仅有韩国三星、美国 Intel、欧洲STMicroelectronics等厂商投入相变化记忆体研究，但整体技术尚未纯熟，也还没有商品化产品问世；台湾方面，电子所已投入总经费 1.6亿元进行相关技术研发。
参与联合研发的 4家DRAM厂均认为，单一公司要发展下世代的记忆体技术，投入的人力、经费所费不赀，此次合作可有效分散风险，成功的概率与成本效益均相对提高，并有助建立台湾创新研发能力，掌握关键技术。
根据协议，未来4家DRAM厂将在3年各自投入3000万元进行技术研发工作，合计约 1.2亿元的资金，进行可携式电子产品应用开发，预计2007年可望产出百万位元级相变化记忆体产品，抢进2008年超过百亿、2012年成长至逾千亿元的市场。
