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半导体贡献卓著 张懋中膺美发明家院士

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【大纪元2015年12月16日讯】(大纪元记者赖月贵台湾新竹报导)“美国发明家学会”于美国时间15日上午公布2015年获选发明家院士168人,交通大学校长张懋中因为研究推动半导体通信元件,对社会与经济发展贡献卓著,获遴选委员肯定并颁授荣衔,交大师生都深感荣耀。

美国发明家学会会长保罗.参柏格(Paul R. Sanberg)表示,2015年当选的院士皆备受尊崇,各项创新发明对社会与经济带来卓越贡献。第五届年度会议将于2016年4月15日在美国专利商标局总部举办,同时举行2015发明家院士就任仪式。

张懋中1990年于美国洛克威尔科学中心(Rockwell Science Center)高速电子实验室与研究团队完成异质结双极性高速电晶体 (HBT)与其积成电路的研究与开发,成功量产后,成为手机必备的发射器元件,他研发砷化镓功率放大器制成的手机信号发射器已超过100亿台。

张懋中是基础研究和实际应用领域首屈一指的权威代表,曾荣膺国际电机电子工程学会(IEEE)会士、美国国家工程学院(National Academy of Engineering)院士、中央研究院院士殊荣。

责任编辑:郑桦

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