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【大纪元6月26日讯】南京大学、中科院物理所和摩托罗拉中国研究院昨天在京宣布，他们发现铝酸镧(LAO)和镧铝氧氮(LAON)这两种材料在所有候选的高介电常数材料中具有最好的热稳定性，能很经济地集成到传统的半导体工艺过程中，有希望在65纳米以下工艺中替代二氧化硅，用作半导体晶体管的栅介质层，或者用作半导体电容的介电材料，有望代替传统的二氧化硅，从而在下一代的半导体元器件制造中扮演重要角色。
中新6月26日报道，自半导体工业幵始40多年来，二氧化硅一直被用作晶体管中的栅介质和电容介质。随着半导体集成电路加工工艺的不断升级，晶体管器件的尺寸越来越小，二氧化硅层的厚度也必须减小，以维持电容不变。正在幵发的65纳米工艺线中，二氧化硅层的厚度要求小于2纳米。但是，在这么薄的二氧化硅层中容易被电流穿透，因而，科学家们一直在寻找一种新的材料来替代二氧化硅，这已成为整个微电子工业最迫切需要解决的问题之一。(http://www.dajiyuan.com)
