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旺宏6篇论文获选VLSI发表

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【大纪元6月10日报导】(中央社记者张建中新竹10日电)记忆体制造厂旺宏电子研究成果再获国际肯定,今年共有6篇论文获选于全球超大型积体电路(VLSI)技术及电路国际会议发表。

旺宏表示,VLSI国际会议为业界视为展现IC制程整合技术最新成果的橱窗,与IC产业未来发展关系密切。

旺宏指出,今年VLSI台湾共有18篇论文入选,晶圆代工龙头台积电有7篇入选,旺宏有6篇入选,交通大学及清华大学各有2篇入选,国家奈米实验室有1篇入选。

旺宏指出,今年获选于VLSI发表的论文,主题涵盖3D储存型快闪记忆体(NAND Flash)、电阻式记忆体(ReRAM)及相变化记忆体等领域。

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